继GPU之后，AI引爆的投资焦点正顺延至存储芯片，掀起新一轮IPO热潮。
1月6日晚间，紫光国芯（874451.NQ）公告表示，陕西证监局对该公司报送的向不特定合格投资者公开发行股票并在北京证券交易所上市辅导备案文件予以受理，该公司自2026年1月5日进入辅导期。
同样在近日，国内最大的DRAM企业长鑫科技的科创板IPO申请已正式获得受理，内存接口芯片企业澜起科技（688008.SH）也已通过港股IPO聆讯，还有多家垂直细分领域的领军企业正在排队或已处于上市进程中。
DRAM Fabless厂商冲刺北交所
紫光国芯是国产DRAM设计的领先企业之一，其前身可追溯至2004年成立的德国英飞凌西安研发中心存储器事业部。
该公司于2009年被浪潮集团收购并改制更名为西安华芯，后于2015年被紫光集团旗下紫光国微收购，更名为西安紫光国芯。在2023年完成股份制改制后，紫光国芯于2024年登陆新三板，并于2025年升入创新层。
紫光国芯开发的存储器芯片产品覆盖标准SDR、DDR、DDR2、DDR3、DDR4和移动用LPDDR、LPDDR2、LPDDR4，其中二十余款产品实现全球量产和销售；存储器模组产品包括服务器内存模组（RDIMM）、笔记本内存模组（SODIMM）和台式机内存模组（UDIMM），四十余款模组产品实现全球量产和销售。
在传统存储产品业务以外，该公司还开发出了三维堆叠DRAM（SeDRAM）技术，并开发了超大带宽、超低功耗的堆叠大带宽系列产品。开源证券指出，该产品结合了公司所掌握的DRAM芯片和逻辑芯片的设计技术优势，为近存计算、人工智能、高性能计算等提供了创造性的存储方案。
在DRAM存储市场量价齐升的2025年，上半年紫光国芯实现营业收入7.5亿元，较上年同期增长38.64%；归属挂牌公司股东的净利润568.3万元，同比增长139.54%，实现扭亏为盈。
值得一提的是，不同于DRAM行业普遍采取的IDM模式，紫光国芯采用了Fabless模式。
但在NOR Flash等其他存储芯片领域，Fabless模式较为常见。国金证券研究指出，在市场需求旺盛、行业竞争激烈情况下，Fabless更具灵活性。如在国际存储器龙头纷纷退出NOR Flash和SLC NAND中低端市场的背景下，在市场缺口竞争中，兆易创新凭借Fabless轻资产经营模式，市场占有率快速提升。
存储芯片企业排队IPO
不止紫光国芯，多家存储芯片企业也正推进上市计划。
国内最大的DRAM企业长鑫科技于2025年12月30日披露科创板上市招股说明书，其IPO申请已进入“预先审阅”流程。该公司在合肥、北京两地共拥有3座12英寸DRAM晶圆厂，根据Omdia，按照产能和出货量统计，其已成为中国第一、全球第四的DRAM厂商。
同样在2025年12月，证监会官网披露，深圳三地一芯电子股份有限公司、深圳市时创意电子股份有限公司均在深圳证监局办理上市辅导备案登记。前者专注于NAND Flash存储控制芯片，后者产品及业务涵盖嵌入式存储、固态硬盘、内存模组及移动存储。
还有存储厂商将目光瞄准了港股。
1月5日，澜起科技在港交所更新聆讯后资料集,代表该公司港交所IPO通过聆讯。该公司是全球仅有的三家能量产服务器内存接口芯片的企业之一。根据弗若斯特沙利文的资料，按收入计算，该公司在2024年位居全球最大的内存互连芯片供应商，市场份额达36.8%。
兆易创新（603986.SH）已于2025年12月31日至2026年1月8日启动招股。该公司是国内少数在NOR Flash、SLC NAND、利基型DRAM和MCU四大领域均跻身全球前十的Fabless设计公司。
此外在2025年12月，浙江力积存储科技股份有限公司在港交所更新招股书。该公司专注于利基DRAM市场，根据弗若斯特沙利文的资料，按2024年利基DRAM收入计，力积存储在全球利基DRAM市场的中国内地公司中排名第四。
国产存储突围战
但一直以来，全球DRAM竞争格局颇为集中，主要被三星、SK海力士和美光三大国际巨头所垄断。
国产DRAM厂商里，长鑫科技正逐步进入主要厂商阵营。根据Omdia，2024年三星电子、SK海力士、美光科技合计占全球DRAM市场90%以上的份额；若按25Q2的DRAM销售额统计，长鑫科技的全球市场份额已增至3.97%。
除了规模壁垒，在高端产品性能方面，国产存储与国际一线梯队也存在差距。如在DRAM领域，三星、SK海力士已大规模量产DDR5，并积极布局DDR6及更先进的制程工艺，甚至在HBM（高带宽内存）领域形成了暂时的垄断。相比之下，国产DRAM目前的主力产品仍集中在DDR4及LPDDR4X等成熟制程。
而自2025年以来，存储市场出现结构性变革。这一变革不仅重塑了国际巨头的竞争版图，更为蛰伏已久的国产存储厂商提供了历史性突围窗口。
从传统市场来看，尽管智能手机与PC等传统市场需求受宏观经济影响增速有所放缓，但汽车电子、智能驾驶和物联网设备对存储芯片的需求正在快速增长，特别是车规级DRAM的需求明显提升。
从新兴市场看，AI服务器对高带宽、大容量DRAM的需求迅速攀升，推动存储芯片向高性能、低功耗、低延迟方向迭代升级。这种需求的碎片化和差异化，打破了以往国际原厂凭借标准品规模通吃的局面，迫使市场更加细分。
东方证券研究指出，目前国际领先DRAM企业已进入制程节点微缩瓶颈，新产品开发中面临的成本巨幅增长与物理极限的逼近问题导致工艺难度大幅提升。基于此，DRAM厂商正积极尝试4F2结构、CBA（CMOS directly Bondedo Array）等新技术解决方案。
在新技术领域的研发上，国内厂商与国际前三家厂商均处于探索阶段，国内厂商有望通过产品与技术的革新逐步缩小与国际领先水平的差距，甚至实现部分技术与产品的弯道超车。
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